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首頁 >APT22F120B2>規(guī)格書列表
零件編號(hào) | 下載&訂購 | 功能描述 | 制造商&上傳企業(yè) | LOGO |
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APT22F120B2 | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=23A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.7Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | |
APT22F120B2 | N-Channel FREDFET | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 | Microsemi | |
APT22F120B2 | N-Channel FREDFET | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 | Microsemi | |
N-Channel FREDFET | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 | Microsemi |
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào):
APT22F120B2
- 功能描述:
MOSFET N-CH 1200V 23A T-MAX
- RoHS:
是
- 類別:
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列:
POWER MOS 8™
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn):
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
TO-220FP
- 包裝:
管件
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Microchip Technology |
24+ |
T-MAX? [B2] |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
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APTMICROSEMI |
17+ |
T-MAXFONT |
31518 |
原裝正品 可含稅交易 |
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18+ |
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41200 |
原裝正品,現(xiàn)貨特價(jià) |
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