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APT25GN120B2DQ2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

APT25GN120B2DQ2
廠商型號

APT25GN120B2DQ2

參數(shù)屬性

APT25GN120B2DQ2 封裝/外殼為TO-247-3 變式;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 67A 272W TMAX

功能描述

IGBT

封裝外殼

TO-247-3 變式

文件大小

220.65 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Advanced Power Technology
企業(yè)簡稱

ADPOW

中文名稱

Advanced Power Technology官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-27 20:46:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    APT25GN120B2DQ2G

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    NPT,溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,25A

  • 開關(guān)能量:

    2.15μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    22ns/280ns

  • 測試條件:

    800V,25A,4.3 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3 變式

  • 描述:

    IGBT 1200V 67A 272W TMAX

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