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APT25GR120BSCD10

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

POWERMOS7?MOSFET PowerMOS7?isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7?bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7?combineslowerconductionandswitchinglossesalon

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Power Semiconductors Power Modules

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APT25GR120BSCD10

包裝：管件 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 75A 521W TO247

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    APT25GR120BSCD10

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    3.2V @ 15V，25A

  • 開關(guān)能量：

    434μJ（開），466μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    16ns/122ns

  • 測試條件：

    600V，25A，4.3 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247

  • 描述：

    IGBT 1200V 75A 521W TO247

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
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更多APT25GR120BSCD10供應(yīng)商 更新時間2024-11-15 15:00:00

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