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APT30GP60B2DLG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
APT30GP60B2DLG |
| 參數(shù)屬性 | APT30GP60B2DLG 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 100A 463W TMAX |
| 功能描述 | Resonant Mode Combi IGBT |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
219.74 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
9 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
| 企業(yè)簡稱 |
Microsemi【美高森美】 |
| 中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-1 8:30:00 |
APT30GP60B2DLG規(guī)格書詳情
APT30GP60B2DLG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由美高森美公司制造生產(chǎn)的APT30GP60B2DLG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
APT30GP60B2DLG
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
PT
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，30A
- 開關(guān)能量：
260μJ（開），250μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
13ns/55ns
- 測試條件：
400V，30A，5 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
T-MAX?
- 描述：
IGBT 600V 100A 463W TMAX
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT |
24+ |
2173 |
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詢價(jià) | |||
Microsemi Corporation |
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詢價(jià) |
