首頁(yè)>APT33GF120LRDQ2G>詳情

APT33GF120LRDQ2G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 MICROSEMI/美高森美

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    APT33GF120LRDQ2G

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    Microse

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    8560

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO264

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-2-11 10:33:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：APT33GF120LRDQ2G品牌：Microse

受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣!

  • 芯片型號(hào)：

    APT33GF120LRDQ2G

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ADPOW詳情

  • 廠商全稱：

    Advanced Power Technology

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    9 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    454.84 kb

  • 資料說(shuō)明：

    FAST IGBT & FRED

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    APT33GF120LRDQ2G

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    3V @ 15V，25A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    1.315mJ（開(kāi)），1.515mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    14ns/185ns

  • 測(cè)試條件：

    800V，25A，4.3 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-264-3，TO-264AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-264 [L]

  • 描述：

    IGBT 1200V 64A 357W TO264

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市華來(lái)深電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    朱先生

  • 手機(jī)：

    13751106682

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83238902/13662247350

  • 傳真：

    0755-83972189

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)205棟4樓4B35/門(mén)市部:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路國(guó)利大廈新亞洲二期N2B227

相近型號(hào)