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APT35GP120B2DQ2G分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

APT35GP120B2DQ2G
廠商型號

APT35GP120B2DQ2G
參數(shù)屬性

APT35GP120B2DQ2G 封裝/外殼為TO-247-3 變式；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 96A 543W TMAX
功能描述

POWER MOS 7 IGBT
封裝外殼

TO-247-3 變式
文件大小

426.35 Kbytes
頁面數(shù)量

9 頁
生產(chǎn)廠商 Advanced Power Technology
企業(yè)簡稱

ADPOW

中文名稱

Advanced Power Technology官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-30 13:48:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    APT35GP120B2DQ2G

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    POWER MOS 7?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    3.9V @ 15V，35A

  • 開關能量：

    750μJ（開），680μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    16ns/95ns

  • 測試條件：

    600V，35A，4.3 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3 變式

  • 描述：

    IGBT 1200V 96A 543W TMAX

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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