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APT4012BVR

PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.

PowerMOSV?isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV?alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. ?FasterSwitchi

ADPOW

Advanced Power Technology

APT4012BVR

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=37A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

APT4012SVFR

POWERMOSVFREDFET

POWERMOSV?FREDFET PowerMOSV?isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV?alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout.

ADPOW

Advanced Power Technology

AT4012

StandardSizePushbuttons

GeneralSpecifications ElectricalCapacity(ResistiveLoad) PowerLevel(silver):3A@125VACor3A@250VACor3A@30VDC LogicLevel(gold):0.4VAmaximum@28VAC/DCmaximum (ApplicableRange0.1mA~0.1A@20mV~28V) Note:FindadditionalexplanationofoperatingrangeinSupplements

NKKNihon Kaiheiki Industry Co. Ltd.

恩楷楷恩楷楷(上海)開關有限公司

BCL-4012

CompressionStyleRingTongueTerminalfor4/0AWGWire,StudSize1/2,Un-Plated,BarrelLength19.05mm(.750)

MOLEX4Molex Electronics Ltd.

莫仕

BCL-4012-PL

CompressionStyleRingTongueTerminalfor4/0AWGWire,StudSize1/2,Plated,BarrelLength19.05mm(.750)

MOLEX4Molex Electronics Ltd.

莫仕

BX4012

RFAMPLIFIERMODEL

APITECH

API Technologies Corp

C4012ERW

Compact,2:1Input40W,SingleOutputDC/DCConverters

MPD

MPD (Memory Protection Devices)

C4012ERW

C4000ERWSERIES

MPD

MPD (Memory Protection Devices)

C4012RU

C4000RUSERIES

MPD

MPD (Memory Protection Devices)

詳細參數

  • 型號：

    APT4012BVFRG

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 400V 37A TO-247

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導體產品 >> FET - 單

  • 系列：

    POWER MOS V®

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多APT4012BVFRG供應商 更新時間2025-3-12 14:00:00

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