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APT4020BVFRG	文件：74.27 Kbytes Page：4 Pages	POWER MOS V FREDFET PowerMOSV?isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV?alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. ?FasterSwitchi	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT4020BVR	文件：64.53 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSV?isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV?alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. ?FasterSwitchi	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT4020BVR	文件：336.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES DrainCurrent:ID=23A@TC=25℃ DrainSourceVoltage :VDSS=400V(Min) StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=10V 100avalanchetested MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
APT4020DN	文件：327.24 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=23.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
APT4020HN	文件：297.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=23.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
APT4020SVFR	文件：74.27 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSVFREDFET PowerMOSV?isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV?alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. ?FasterSwitchi	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT4020SVFRG	文件：74.27 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSVFREDFET PowerMOSV?isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV?alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. ?FasterSwitchi	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
AQ4020	文件：673.83 Kbytes Page：5 Pages	TheAQ4020componentsintegratelowcapacitancesteeringdiodeswithoneortwoavalanchebreakdowndiodesforunidirectionalorbidirectionalprotection	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
ASPI-4020HI	文件：1.52482 Mbytes Page：3 Pages	ShieldedPowerInductor	ABRACON Abracon Corporation	ABRACON
ASPI-4020S	文件：2.12053 Mbytes Page：3 Pages	WireWoundMagneticallyShieldedSMDPowerInductor	ABRACON Abracon Corporation	ABRACON

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
APT4020BVFRG
功能描述：
MOSFET N-CH 400V 27A TO-247
RoHS：
是
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	APT4020BVFRG	Microch	20+	NA	33560	原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	APT4020BVFRG	APT	24+	TO-247	2050	公司大量全新原裝正品隨時(shí)可以發(fā)貨	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	APT4020BVFRG	ADPOW	23+	原廠原包	19960	只做進(jìn)口原裝終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市微納爾電子實(shí)業(yè)有限公司	APT4020BVFRG	Microchip	21+		15000	只做原裝	詢價(jià)
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更多APT4020BVFRG供應(yīng)商更新時(shí)間2025-3-13 19:06:00

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