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APT4065CN	文件：297.77 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
APT4065DN	文件：327.68 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
APT4065GN	文件：297.86 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=8.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
B4065	文件：73.59 Kbytes Page：5 Pages	SAWComponentsLow-LossFilter940,0MHz	EPCOSepcos 愛(ài)普科斯	EPCOS
C4065A	文件：60.49 Kbytes Page：1 Pages	8C22AWG(7/30)TCPVC,PVCCOMMUNICATION&CONTROLCABLE	GENERALGeneral Cable Technologies Corporation 通用電氣公司美國(guó)通用電氣公司	GENERAL
DMP4065S	文件：503.49 Kbytes Page：6 Pages	40VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMP4065SQ	文件：442.75 Kbytes Page：7 Pages	40VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
EMS4065	文件：314.55 Kbytes Page：9 Pages	MACHINEPINSOCKET	ECE EXCEL CELL ELECTRONIC CO., LTD.	ECE
FEB4065	文件：237.79 Kbytes Page：29 Pages	HighVoltageSubscriberLineICHV-SLIC	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司	SIEMENS
FEB-F4065	文件：237.79 Kbytes Page：29 Pages	HighVoltageSubscriberLineICHV-SLIC	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司	SIEMENS
FEF4065	文件：237.79 Kbytes Page：29 Pages	HighVoltageSubscriberLineICHV-SLIC	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司	SIEMENS
FFSH4065A	文件：429.75 Kbytes Page：7 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FFSH4065BDN	文件：254.89 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiode–EliteSiC,40A,650V,D2,TO-247-3L Description SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSil	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FG4065	文件：86.55 Kbytes Page：2 Pages	FiberglassOmnidirectionalWirelessAntennas	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類(lèi)制造商etc2未分類(lèi)制造商	etc2
HM4065	文件：1.19519 Mbytes Page：12 Pages	5Amulti-typebatterychargingmanagementintegratedcircuit	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HM4065B	文件：509.29 Kbytes Page：11 Pages	4AMulti-TypeBatteryChargeManagementIC	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
IRGB4065PBF	文件：785.49 Kbytes Page：9 Pages	PDPTRENCHIGBT Description ThisIGBTisspecificallydesignedforapplicationsinPlasmaDisplayPanels.ThisdeviceutilizesadvancedtrenchIGBTtechnologytoachievelowVCE(on)andlowEPULSE?ratingpersiliconareawhichimprovepanelefficiency.Additionalfeaturesare150°Coperatingjunctiontemperatu	IRF International Rectifier	IRF
IRGI4065PBF	文件：321.66 Kbytes Page：7 Pages	PDPTRENCHIGBT	IRF International Rectifier	IRF
IRGP4065DPBF	文件：344.59 Kbytes Page：7 Pages	PDPTRENCHIGBT Description ThisIGBTisspecificallydesignedforapplicationsinPlasmaDisplayPanels.ThisdeviceutilizesadvancedtrenchIGBTtechnologytoachievelowVCE(on)andlowEPULSETMratingpersiliconareawhichimprovepanelefficiency.Additionalfeaturesare150°Coperatingjunctiontemperatu	IRF International Rectifier	IRF
IRGP4065PBF	文件：317.08 Kbytes Page：7 Pages	PDPTRENCHIGBT Description ThisIGBTisspecificallydesignedforapplicationsinPlasmaDisplayPanels.Thisdeviceutilizesadvanced trenchIGBTtechnologytoachievelowVCE(on)andlowEPULSETMratingpersiliconareawhichimprovepanelefficiency.Additionalfeaturesare150°Coperatingjunctiontemp	IRF International Rectifier	IRF

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更多APT4065CN供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-22 14:36:00

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