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APT43GA90BD30分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

APT43GA90BD30
廠商型號(hào)

APT43GA90BD30

參數(shù)屬性

APT43GA90BD30 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 900V 78A 337W TO247

功能描述

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

2.83333 Mbytes

頁面數(shù)量

44

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-25 22:30:00

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APT43GA90BD30規(guī)格書詳情

POWER MOS 7? MOSFET

Power MOS 7? is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7? by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7? combines lower conduction and switching losses along with exceptionally fast switching speeds inherent with APTs patented metal gate structure.

? Lower Input Capacitance

? Increased Power Dissipation

? Lower Miller Capacitance

? Easier To Drive

? Lower Gate Charge, Qg

? TO-247 or Surface Mount D3PAK Package

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    APT43GA90BD30

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    3.1V @ 15V,47A

  • 開關(guān)能量:

    875μJ(開),425μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    12ns/82ns

  • 測(cè)試條件:

    600V,25A,4.7 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247 [B]

  • 描述:

    IGBT 900V 78A 337W TO247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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