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首頁(yè)>APT44GA60BD30C>芯片詳情
APT44GA60BD30C 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 MICROSEMI/美高森美
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原廠料號(hào):APT44GA60BD30C品牌:MICROSEMI
原裝正品現(xiàn)貨
APT44GA60BD30C是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商MICROSEMI/Microsemi Corporation生產(chǎn)封裝TO-264/TO-247-3的APT44GA60BD30C晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類(lèi)型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
APT44GA60BD30C
- 制造商:
Microsemi Corporation
- 類(lèi)別:
- 系列:
POWER MOS 8?
- 包裝:
管件
- IGBT 類(lèi)型:
PT
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
1.6V @ 15V,26A
- 開(kāi)關(guān)能量:
409μJ(開(kāi)),450μJ(關(guān))
- 輸入類(lèi)型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:
16ns/102ns
- 測(cè)試條件:
400V,26A,4.7 歐姆,15V
- 安裝類(lèi)型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247 [B]
- 描述:
IGBT 600V 78A 337W TO247
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市宏興瑞科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
朱小姐
- 手機(jī):
18923720076
- 詢(xún)價(jià):
- 電話(huà):
0755-23946805
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)205棟3樓A05
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