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APT5010B2VR中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
APT5010B2VR |
| 功能描述 | isc N-Channel MOSFET Transistor |
| 文件大小 |
336.97 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
| 企業(yè)簡稱 |
ISC【無錫固電】 |
| 中文名稱 | 無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-24 22:57:00 |
| 人工找貨 | APT5010B2VR價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
APT5010B2VR規(guī)格書詳情
FEATURES
·Drain Current : ID= 47A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage
: VDSS= 500V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 0.1Ω(Max) @ VGS= 10V
·100 avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
DESCRIPTION
·motor drive, DC-DC converter, power switch
and solenoid drive.
產(chǎn)品屬性
- 型號：
APT5010B2VR
- 功能描述：
MOSFET N-CH 500V 47A T-MAX
- RoHS：
是
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
POWER MOS V®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT |
24+ |
MODULE |
90 |
原裝正品,歡迎來電咨詢! |
詢價(jià) | ||
MICROCHIP(美國微芯) |
23+ |
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Microch |
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MICROCHIP(美國微芯) |
23+ |
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原廠 |
2023+ |
模塊 |
600 |
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詢價(jià) |
