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APT50GN120L2DQ2G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

APT50GN120L2DQ2G
廠商型號

APT50GN120L2DQ2G

參數(shù)屬性

APT50GN120L2DQ2G 封裝/外殼為TO-264-3,TO-264AA;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 134A 543W TO264

功能描述

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

文件大小

9.86083 Mbytes

頁面數(shù)量

44

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-3 22:30:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    APT50GN120L2DQ2G

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    NPT,溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,50A

  • 開關(guān)能量:

    4495μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    28ns/320ns

  • 測試條件:

    800V,50A,2.2 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-264-3,TO-264AA

  • 描述:

    IGBT 1200V 134A 543W TO264

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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