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APT50GR120B2

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

POWERMOS7?MOSFET PowerMOS7?isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7?bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7?combineslowerconductionandswitchinglossesalon

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT50GR120B2

Power Semiconductors Power Modules

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT50GR120B2

包裝：托盤 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 117A 694W TO247

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    APT50GR120B2

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    托盤

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    3.2V @ 15V，50A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    2.14mJ（開(kāi)），1.48mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    28ns/237ns

  • 測(cè)試條件：

    600V，50A，4.3 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247

  • 描述：

    IGBT 1200V 117A 694W TO247

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Microsemi
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正常排單原廠正規(guī)渠道保證原裝正品
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原裝正品，支持實(shí)單
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全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
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更多APT50GR120B2供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-21 13:52:00

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