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APT50GT120B2RDL分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
APT50GT120B2RDL |
| 參數(shù)屬性 | APT50GT120B2RDL 封裝/外殼為TO-247-3 變式；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 106A 694W TO-247 |
| 功能描述 | Resonant Mode IGBT |
| 封裝外殼 | TO-247-3 變式 |
| 文件大小 |
218.6 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
9 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Microsemi【美高森美】 |
| 中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-31 17:00:00 |
APT50GT120B2RDL規(guī)格書詳情
APT50GT120B2RDL屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由美高森美公司制造生產(chǎn)的APT50GT120B2RDL晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
APT50GT120B2RDLG
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列：
Thunderbolt IGBT?
- 包裝：
托盤
- IGBT 類型：
NPT
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
3.7V @ 15V，50A
- 開關(guān)能量：
3585μJ（開），1910μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
23ns/215ns
- 測(cè)試條件：
800V，50A，4.7 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3 變式
- 描述：
IGBT 1200V 106A 694W TO-247
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROSEMI |
23+ |
NA |
146 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價(jià) | ||
APT |
24+ |
MAX247 |
8866 |
詢價(jià) | |||
Microsemi/美高森美 |
23+ |
TO247 |
8400 |
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Microsemi/美高森美 |
23+ |
TO247 |
8400 |
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
MICROSEMI |
638 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||||
Microsemi Corporation |
2022+ |
- |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) | ||
Microchip |
21+ |
15000 |
只做原裝 |
詢價(jià) | |||
MICROSEMI |
08+ |
90 |
原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)優(yōu) |
詢價(jià) | |||
MICROSEMI/美高森美 |
23+ |
TO-247 |
10000 |
公司只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||
Microsemi |
23+ |
IGBT |
7750 |
全新原裝優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) |
