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APT50GT60BRDQ2G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
APT50GT60BRDQ2G |
參數(shù)屬性 | APT50GT60BRDQ2G 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 110A 446W TO247 |
功能描述 | Power Semiconductors Power Modules |
封裝外殼 | TO-247-3 |
文件大小 |
2.83336 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
44 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
企業(yè)簡稱 |
Microsemi【美高森美】 |
中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
原廠標識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-2-22 17:31:00 |
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產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
APT50GT60BRDQ2G
- 制造商:
Microchip Technology
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列:
Thunderbolt IGBT?
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
NPT
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.5V @ 15V,50A
- 開關(guān)能量:
995μJ(開),1070μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標準
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
14ns/240ns
- 測試條件:
400V,50A,5 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247 [B]
- 描述:
IGBT 600V 110A 446W TO247
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROSEMI/美高森美 |
22+ |
TO-247 |
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24+ |
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Microsemi |
24+ |
TO-247 |
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MICROSEMI/美高森美 |
22+ |
TO-247 |
14100 |
原裝正品 |
詢價 |