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APT6010B2LLG中文資料美高森美數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

APT6010B2LLG
廠商型號(hào)

APT6010B2LLG
功能描述

POWER MOS 7 MOSFET
文件大小

265.58 Kbytes
頁面數(shù)量

5 頁
生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi【美高森美】

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-12 17:12:00
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APT6010B2LLG規(guī)格書詳情

Power MOS 7? is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7? by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7? combines lower conduction and switching losses along with exceptionally fast switching speeds inherent with Microsemis patented metal gate structure.

? Lower Input Capacitance

? Lower Miller Capacitance

? Lower Gate Charge, Qg

? Increased Power Dissipation

? Easier To Drive

? Popular T-MAX? or TO-264 Package

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    APT6010B2LLG

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    POWER MOS 7®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
APT
24+
TO264
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