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APT6011B2VFR中文資料ADPOW數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

APT6011B2VFR
廠商型號

APT6011B2VFR

功能描述

Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

文件大小

34.74 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產廠商 Advanced Power Technology
企業(yè)簡稱

ADPOW

中文名稱

Advanced Power Technology官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-20 16:42:00

APT6011B2VFR規(guī)格書詳情

Power MOS V? is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V? also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.

? T-MAX? or TO-264 Package

? Faster Switching

? Lower Leakage

? Avalanche Energy Rated

? FAST RECOVERY BODY DIODE

產品屬性

  • 型號:

    APT6011B2VFR

  • 制造商:

    ADPOW

  • 制造商全稱:

    Advanced Power Technology

  • 功能描述:

    Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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