首頁>APT64GA90LD30>詳情

APT64GA90LD30 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 MICROCHIP/微芯科技

APT64GA90LD30參考圖片

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：APT64GA90LD30品牌：Microchip

只做原裝

APT64GA90LD30是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Microchip/Microchip Technology生產(chǎn)封裝TO-264-3，TO-264AA的APT64GA90LD30晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    APT64GA90LD30

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    MICROSEMI【美高森美】詳情

  • 廠商全稱：

    Microsemi Corporation

  • 中文名稱：

    美高森美公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    9 頁

  • 文件大?。?/span>

    234.76 kb

  • 資料說明：

    High Speed PT IGBT

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    APT64GA90LD30

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    POWER MOS 8?

  • 包裝：

    托盤

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    3.1V @ 15V，38A

  • 開關(guān)能量：

    1192μJ（開），1088μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    18ns/131ns

  • 測(cè)試條件：

    600V，38A，4.7 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-264-3，TO-264AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-264 [L]

  • 描述：

    IGBT 900V 117A 500W TO-264

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市微納爾電子實(shí)業(yè)有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    何權(quán)倫

  • 手機(jī)：

    14704890059

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83272-3436

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)福虹路9號(hào)世貿(mào)廣場(chǎng)A座803

相近型號(hào)