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APT64GA90LD30分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
APT64GA90LD30 |
參數(shù)屬性 | APT64GA90LD30 封裝/外殼為TO-264-3,TO-264AA;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 900V 117A 500W TO-264 |
功能描述 | High Speed PT IGBT |
封裝外殼 | TO-264-3,TO-264AA |
文件大小 |
234.76 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
9 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Microsemi【美高森美】 |
中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-2-4 13:13:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
APT64GA90LD30
- 制造商:
Microchip Technology
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列:
POWER MOS 8?
- 包裝:
托盤
- IGBT 類型:
PT
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
3.1V @ 15V,38A
- 開關(guān)能量:
1192μJ(開),1088μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:
18ns/131ns
- 測(cè)試條件:
600V,38A,4.7 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-264-3,TO-264AA
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-264 [L]
- 描述:
IGBT 900V 117A 500W TO-264
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
APT |
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TO-247 |
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