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APT75GN60B2DQ3G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 MICROSEMI/美高森美

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原廠料號(hào)：APT75GN60B2DQ3G品牌：Microsemi/美高森美

原裝正品，支持實(shí)單

APT75GN60B2DQ3G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Microsemi/美高森美/Microsemi Corporation生產(chǎn)封裝TO264/TO-264-3，TO-264AA的APT75GN60B2DQ3G晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    APT75GN60B2DQ3G

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    MICROSEMI【美高森美】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    Microsemi Corporation

  • 中文名稱(chēng)：

    美高森美公司

  • 資料說(shuō)明：

    IGBT 600V 155A 536W TO264

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    APT75GN60B2DQ3G

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.85V @ 15V，75A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    2500μJ（開(kāi)），2140μJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    47ns/385ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，75A，1 歐姆，15V

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-264-3，TO-264AA

  • 描述：

    IGBT 600V 155A 536W TO264

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    周小姐

  • 手機(jī)：

    13570897296

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話：

    0755-28018831

  • 地址：

    深圳市龍華區(qū)民治街道金地梅龍鎮(zhèn)2棟3單元8C

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