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APT8030JVR	文件：67.79 Kbytes Page：4 Pages	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. PowerMOSV?isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV?alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. ?FastRecovery	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
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APT8030LVFR	文件：328.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=27A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
APT8030LVFRG	文件：67.37 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSV PowerMOSV?isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV?alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. ?FastRecovery	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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APT8030LVR	文件：328.84 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=27A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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CHM8030LANPT	文件：219.83 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE30VoltsCURRENT75Ampere FEATURE ???????Smallflatpackage.(D2PAK) HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. Otherswitchingapplications.	CHENMKOchenmko 力勤股份有限公司	CHENMKO
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CZ8030	文件：41.54 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIER	APITECH API Technologies Corp	APITECH
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EG8030	文件：686.34 Kbytes Page：23 Pages	SPWMinverterspecificchip	EGMICROJingjing Microelectronics Co., Ltd 屹晶微電子屹晶微電子有限公司	EGMICRO

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
APT8030JVR
功能描述：
MOSFET N-CH 800V 25A SOT-227
RoHS：
是
類別：
半導(dǎo)體模塊 >> FET
系列：
POWER MOS V®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
10
系列：
*

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多APT8030JVR供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-8 16:39:00

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