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APT80GA90LD40分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
APT80GA90LD40 |
| 參數(shù)屬性 | APT80GA90LD40 封裝/外殼為TO-264-3，TO-264AA；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 900V 145A 625W TO-264 |
| 功能描述 | Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs |
| 封裝外殼 | TO-264-3，TO-264AA |
| 文件大小 |
2.83333 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
44 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
| 企業(yè)簡稱 |
Microsemi【美高森美】 |
| 中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-25 16:10:00 |
| 人工找貨 | APT80GA90LD40價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
APT80GA90LD40規(guī)格書詳情
POWER MOS 7? MOSFET
Power MOS 7? is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7? by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7? combines lower conduction and switching losses along with exceptionally fast switching speeds inherent with APTs patented metal gate structure.
? Lower Input Capacitance
? Increased Power Dissipation
? Lower Miller Capacitance
? Easier To Drive
? Lower Gate Charge, Qg
? TO-247 or Surface Mount D3PAK Package
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
APT80GA90LD40
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列：
POWER MOS 8?
- 包裝：
托盤
- IGBT 類型：
PT
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
3.1V @ 15V，47A
- 開關(guān)能量：
1652μJ（開），1389μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
18ns/149ns
- 測(cè)試條件：
600V，47A，4.7 歐姆，15V
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-264-3，TO-264AA
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-264
- 描述：
IGBT 900V 145A 625W TO-264
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT |
22+ |
T-MAXB2 |
8200 |
原裝現(xiàn)貨庫存.價(jià)格優(yōu)勢(shì)!! |
詢價(jià) | ||
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MICROSEMI |
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原裝正品 |
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Microsemi Corporation |
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Microsemi |
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