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APT85GR120JD60分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
APT85GR120JD60 |
| 參數(shù)屬性 | APT85GR120JD60 封裝/外殼為SOT-227-4，miniBLOC；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227 |
| 功能描述 | Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs |
| 封裝外殼 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 文件大小 |
2.83333 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
44 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
| 企業(yè)簡稱 |
Microsemi【美高森美】 |
| 中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-26 19:10:00 |
APT85GR120JD60規(guī)格書詳情
POWER MOS 7? MOSFET
Power MOS 7? is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7? by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7? combines lower conduction and switching losses along with exceptionally fast switching speeds inherent with APTs patented metal gate structure.
? Lower Input Capacitance
? Increased Power Dissipation
? Lower Miller Capacitance
? Easier To Drive
? Lower Gate Charge, Qg
? TO-247 or Surface Mount D3PAK Package
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
APT85GR120JD60
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
NPT
- 配置：
單路
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
3.2V @ 15V，85A
- 輸入：
標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻：
無
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
SOT-227-4，miniBLOC
- 供應(yīng)商器件封裝：
SOT-227
- 描述：
IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT |
24+ |
TO-3P |
55 |
原裝正品,歡迎來電咨詢! |
詢價 | ||
Microchip Technology |
23+ |
Module |
1262 |
原廠原裝正品現(xiàn)貨,代理渠道,支持訂貨!!! |
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Microsemi |
22+23+ |
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詢價 | ||||
24+ |
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23+ |
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MICROSEMI |
638 |
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Microsemi Corporation |
2022+ |
SOT-227 |
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23+ |
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