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APT8M100B中文資料無(wú)錫固電數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

APT8M100B
廠商型號(hào)

APT8M100B
功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor
文件大小

360.75 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISC【無(wú)錫固電】

中文名稱

無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-23 16:40:00
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APT8M100B規(guī)格書詳情

FEATURES

·Drain Current : ID= 8A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage

: VDSS= 1000V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 1.8Ω(Max) @ VGS= 10V

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

DESCRIPTION

·motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    APT8M100B

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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公司大量全新原裝 正品 隨時(shí)可以發(fā)貨
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專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可
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Microsemi
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MOSFET
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全新原裝優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)

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