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APTGF165A60D1G分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

APTGF165A60D1G
廠商型號

APTGF165A60D1G

參數(shù)屬性

APTGF165A60D1G 封裝/外殼為D1;包裝為盒;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MODULE 600V 230A 781W D1

功能描述

Phase leg NPT IGBT Power Module
IGBT MODULE 600V 230A 781W D1

文件大小

184.39 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-28 17:21:00

APTGF165A60D1G規(guī)格書詳情

APTGF165A60D1G屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由美高森美公司制造生產(chǎn)的APTGF165A60D1G晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件,主要用作電子開關,兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    APTGF165A60D1G

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 配置:

    半橋

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.45V @ 15V,200A

  • 輸入:

    標準

  • NTC 熱敏電阻:

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    D1

  • 供應商器件封裝:

    D1

  • 描述:

    IGBT MODULE 600V 230A 781W D1

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