APTGT50A120D1G_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-IGBT-模塊-美高森美

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原廠料號(hào):APTGT50A120D1G品牌:Microsemi Corporation

資料說(shuō)明:IGBT MODULE 1200V 75A 270W D1

APTGT50A120D1G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商MICROSEMI/美高森美生產(chǎn)封裝D1的APTGT50A120D1G晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開(kāi)關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對(duì)稱式橋; 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

  • 芯片型號(hào):

    aptgt50a120d1g

  • 規(guī)格書(shū):

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    MICROSEMI【美高森美】詳情

  • 廠商全稱:

    Microsemi Corporation

  • 中文名稱:

    美高森美公司

  • 資料說(shuō)明:

    IGBT MODULE 1200V 75A 270W D1

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    APTGT50A120D1G

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    散裝

  • IGBT 類型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 配置:

    半橋

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,50A

  • 輸入:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻:

    無(wú)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    D1

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    D1

  • 描述:

    IGBT MODULE 1200V 75A 270W D1

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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