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APTGV50H120BTPG分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

APTGV50H120BTPG
廠商型號

APTGV50H120BTPG

參數(shù)屬性

APTGV50H120BTPG 封裝/外殼為SP6;包裝為散裝;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MODULE 1200V 75A 270W SP6P

功能描述

Boost chopper full bridge NPT & Trench Field Stop IGBT Power module
IGBT MODULE 1200V 75A 270W SP6P

封裝外殼

SP6

文件大小

431.85 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-31 15:00:00

APTGV50H120BTPG規(guī)格書詳情

APTGV50H120BTPG屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由美高森美公司制造生產(chǎn)的APTGV50H120BTPG晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件,主要用作電子開關,兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    APTGV50H120BTPG

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    散裝

  • IGBT 類型:

    NPT,溝槽型場截止

  • 配置:

    升壓斬波器,全橋

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,50A

  • 輸入:

    標準

  • NTC 熱敏電阻:

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    SP6

  • 供應商器件封裝:

    SP6-P

  • 描述:

    IGBT MODULE 1200V 75A 270W SP6P

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Microsemi Corporation
2022+
SP6-P
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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專業(yè)代理銷售半導體模塊,能提供更多數(shù)量
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原裝正品現(xiàn)貨
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