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C8132	文件：24.83 Kbytes Page：1 Pages	TinnedCopperconductor,FEPInsulation,Individuallyshieldedpairs,andoverallFEPJacketedPlenumCable	GENERALGeneral Electric 通用電氣公司美國通用電氣公司	GENERAL
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FDB8132	文件：328.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=110A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.6mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FDB8132	文件：338.38 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerTrench?MOSFET30V,80A,1.6m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild

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