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AQV414EA

PhotoMOS RELAYS

FEATURES 1.Lowonresistancefornormallyclosedtype ThishasbeenrealizedthankstothebuiltinMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. 2.Controlslow-levelanalogsignals PhotoMOSrelaysfeatureextremelylowclosed-circuitoffsetvo

NAISNais(Matsushita Electric Works)

松下電器松下電器機電(中國)有限公司

AQV414EA

Package：6-SMD（0.300"，7.62mm）；包裝：管件 類別：繼電器 固態(tài)繼電器 描述：SSR RELAY DPST-NC 120MA 0-400V

Panasonic Electric Works

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AQV414EA

Package：6-SMD（0.300"，7.62mm）；包裝：管件 類別：繼電器 固態(tài)繼電器 描述：SSR RELAY DPST-NC 120MA 0-400V

Panasonic Electric Works

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AQV414EAX

PhotoMOS RELAYS

FEATURES 1.Lowonresistancefornormallyclosedtype ThishasbeenrealizedthankstothebuiltinMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. 2.Controlslow-levelanalogsignals PhotoMOSrelaysfeatureextremelylowclosed-circuitoffsetvo

NAISNais(Matsushita Electric Works)

松下電器松下電器機電(中國)有限公司

AQV414EAZ

PhotoMOS RELAYS

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NAISNais(Matsushita Electric Works)

松下電器松下電器機電(中國)有限公司

AQV414EAX

Package：6-SMD（0.300"，7.62mm）；包裝：管件 類別：繼電器 固態(tài)繼電器 描述：SSR RELAY DPST-NC 120MA 0-400V

Panasonic Electric Works

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Panasonic Electric Works

AQV414EH

PhotoMOSRELAYS

FEATURES 1.Lowonresistancefornormallyclosedtype ThishasbeenrealizedthankstothebuiltinMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. 2.Controlslow-levelanalogsignals PhotoMOSrelaysfeatureextremelylowclosed-circuitoffsetvo

NAISNais(Matsushita Electric Works)

松下電器松下電器機電(中國)有限公司

AQV414EHA

PhotoMOSRELAYS

FEATURES 1.Lowonresistancefornormallyclosedtype ThishasbeenrealizedthankstothebuiltinMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. 2.Controlslow-levelanalogsignals PhotoMOSrelaysfeatureextremelylowclosed-circuitoffsetvo

NAISNais(Matsushita Electric Works)

松下電器松下電器機電(中國)有限公司

AQV414EHAX

PhotoMOSRELAYS

FEATURES 1.Lowonresistancefornormallyclosedtype ThishasbeenrealizedthankstothebuiltinMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. 2.Controlslow-levelanalogsignals PhotoMOSrelaysfeatureextremelylowclosed-circuitoffsetvo

NAISNais(Matsushita Electric Works)

松下電器松下電器機電(中國)有限公司

AQV414EHAZ

PhotoMOSRELAYS

FEATURES 1.Lowonresistancefornormallyclosedtype ThishasbeenrealizedthankstothebuiltinMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. 2.Controlslow-levelanalogsignals PhotoMOSrelaysfeatureextremelylowclosed-circuitoffsetvo

NAISNais(Matsushita Electric Works)

松下電器松下電器機電(中國)有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    AQV414EA

  • 制造商：

    Panasonic Electric Works

  • 類別：

    繼電器 > 固態(tài)繼電器

  • 系列：

    PhotoMOS? AQV

  • 包裝：

    管件

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 電路：

    DPST-NC（2 Form B）

  • 輸出類型：

    AC，DC

  • 電壓 - 輸入：

    1.25VDC

  • 端接樣式：

    鷗翼

  • 封裝/外殼：

    6-SMD（0.300"，7.62mm）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    6-SMD

  • 描述：

    SSR RELAY DPST-NC 120MA 0-400V

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多AQV414EA供應(yīng)商 更新時間2025-3-13 15:19:00

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