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BRUS205

ULTRA-FASTRECOVERYSINGLE-PHASE,FULL-WAVEBRIDGESHEATSINKCHASSISP.C.BOARDMOUNTING

edi

Electronic devices inc.

BRUS205F

ULTRA-FASTRECOVERYSINGLE-PHASE,FULL-WAVEBRIDGESHEATSINKCHASSISP.C.BOARDMOUNTING

edi

Electronic devices inc.

BSH205

P-channelenhancementmodeMOStransistor

GENERALDESCRIPTION P-channel,enhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistor.Thisdevicehaslowthresholdvoltageandextremelyfastswitchingmakingitidealforbatterypoweredapplicationsandhighspeeddigitalinterfacing. FEATURES ?Verylowthresholdvoltage ?Fastswit

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BSH205

P-channelenhancementmodeMOStransistor

FEATURES ?Verylowthresholdvoltage ?Fastswitching ?Logiclevelcompatible ?Subminiaturesurfacemount package GENERALDESCRIPTION P-channel,enhancementmode, logiclevel,field-effectpower transistor.Thisdevicehaslow thresholdvoltageandextremely fastswitchingmakingi

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

BSL205N

OptiMOS2Small-Signal-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSL205N

OptiMOS?2Small-Signal-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSN205

N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor

DESCRIPTION N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaSOT223envelope,intendedforuseasalinecurrentinterruptorintelephonesetsandforapplicationsinrelay,high-speedandlinetransformerdrivers. FEATURES ?DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. ?High-speedswitching

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BSN205A

N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor

DESCRIPTION N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaSOT223envelope,intendedforuseasalinecurrentinterruptorintelephonesetsandforapplicationsinrelay,high-speedandlinetransformerdrivers. FEATURES ?DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. ?High-speedswitching

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BSP205

P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor

DESCRIPTION P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaminiatureSOT223envelopeandintendedforuseinrelay,high-speedandline-transformerdrivers. FEATURES ?VerylowRDS(on) ?DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. ?High-speedswitching ?Nosecondarybreakdown

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BSS205N

OptiMOS??Small-Signal-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    AR205C104K4R

  • 制造商：

    KYOCERA AVX

  • 類別：

    電容器 > 陶瓷電容器

  • 系列：

    SkyCap? AR

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 容差：

    ±10%

  • 電壓 - 額定：

    50V

  • 溫度系數(shù)：

    X7R

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 125°C

  • 等級(jí)：

    AEC-Q200

  • 應(yīng)用：

    汽車級(jí)

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    徑向

  • 大小 / 尺寸：

    0.200" 長(zhǎng) x 0.125" 寬（5.08mm x 3.18mm）

  • 高度 - 安裝（最大值）：

    0.200"（5.08mm）

  • 引線間距：

    0.100"（2.54mm）

  • 引線樣式：

    直形

  • 描述：

    CAP CER 0.1UF 50V X7R RADIAL

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷售
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更多AR205供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-16 10:08:00

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