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AY1102W	文件：679.24 Kbytes Page：21 Pages	OuterDimension3.0x1.5x1.5mm Features Productfeatures ?OuterDimension3.0x1.5x1.5mm(LxWxH) ?Temperaturerange StorageTemperature:-40℃～100℃ OperatingTemperature:-30℃～85℃ ?Lead–freesolderingcompatible ?RoHScompliant	Stanley STANLEY ELECTRIC CO.,LTD.	Stanley
AY1102W	文件：724.34 Kbytes Page：21 Pages	SingleColor3216Type Features Productfeatures ?OuterDimension3.0x1.5x1.5mm(LxWxH) ?Temperaturerange StorageTemperature:-40℃～100℃ OperatingTemperature:-30℃～85℃ ?Lead–freesolderingcompatible ?RoHScompliant	Stanley STANLEY ELECTRIC CO.,LTD.	Stanley
BF1102	文件：154.37 Kbytes Page：12 Pages	DualN-channeldualgateMOS-FET DESCRIPTION TheBF1102andBF1102RarebothtwoequaldualgateMOS-FETswhichhaveasharedsourcepinandasharedgate2pin.Bothdeviceshaveinterconnectedsourceandsubstrate;aninternalbiascircuitenablesDCstabilizationandaverygoodcross-modulationperformanceat5Vsupplyvolt	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BF1102	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BF1102(R)	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BF1102R	文件：133.68 Kbytes Page：16 Pages	DualN-channeldualgateMOS-FETs	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BF1102R	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BG1102W	文件：679.24 Kbytes Page：21 Pages	OuterDimension3.0x1.5x1.5mm Features Productfeatures ?OuterDimension3.0x1.5x1.5mm(LxWxH) ?Temperaturerange StorageTemperature:-40℃～100℃ OperatingTemperature:-30℃～85℃ ?Lead–freesolderingcompatible ?RoHScompliant	Stanley STANLEY ELECTRIC CO.,LTD.	Stanley
BG1102W	文件：724.34 Kbytes Page：21 Pages	SingleColor3216Type Features Productfeatures ?OuterDimension3.0x1.5x1.5mm(LxWxH) ?Temperaturerange StorageTemperature:-40℃～100℃ OperatingTemperature:-30℃～85℃ ?Lead–freesolderingcompatible ?RoHScompliant	Stanley STANLEY ELECTRIC CO.,LTD.	Stanley
BL1102	文件：441.26 Kbytes Page：9 Pages	singlechipdialerICusingSi-gateCMOSprocess Description BL1102SeriesisasinglechipdialerICusingSi-gateCMOSprocess,itcanprovidesignalforeitherPulseordoubleTonewithmulti-frequencydialing.Itfeatureskeytoneandhands-freedialing,“0,”9”dialinglatchwithfirstnumber,2array32-digitnumbermemoryre-dialing,and	BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD. 上海貝嶺上海貝嶺股份有限公司	Belling
BR1102W	文件：679.24 Kbytes Page：21 Pages	OuterDimension3.0x1.5x1.5mm Features Productfeatures ?OuterDimension3.0x1.5x1.5mm(LxWxH) ?Temperaturerange StorageTemperature:-40℃～100℃ OperatingTemperature:-30℃～85℃ ?Lead–freesolderingcompatible ?RoHScompliant	Stanley STANLEY ELECTRIC CO.,LTD.	Stanley
BR1102W	文件：724.34 Kbytes Page：21 Pages	SingleColor3216Type Features Productfeatures ?OuterDimension3.0x1.5x1.5mm(LxWxH) ?Temperaturerange StorageTemperature:-40℃～100℃ OperatingTemperature:-30℃～85℃ ?Lead–freesolderingcompatible ?RoHScompliant	Stanley STANLEY ELECTRIC CO.,LTD.	Stanley
BR1102W-TR	文件：724.95 Kbytes Page：21 Pages	SingleColor3216Type Features Productfeatures ?OuterDimension3.0x1.5x1.5mm(LxWxH) ?Temperaturerange StorageTemperature:-40℃～100℃ OperatingTemperature:-30℃～85℃ ?Lead–freesolderingcompatible ?RoHScompliant	Stanley STANLEY ELECTRIC CO.,LTD.	Stanley
BUL1102E	文件：209.95 Kbytes Page：6 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR Description ThisisahighvoltagefastswitchingNPNpower transistormanufacturedinmultiepitaxialplanar technology.Itusesacellularemitterstructurewith planaredgeterminationtoenhanceswitching speedswhilemaintainingawideRBSOA. Thankstoanincreasedintermediatelayer,i	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
BUL1102EFP	文件：219.95 Kbytes Page：6 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR Description ThisisahighvoltagefastswitchingNPNpower transistormanufacturedinmultiepitaxialplanar technology.Itusesacellularemitterstructurewith planaredgeterminationtoenhanceswitching speedswhilemaintainingawideRBSOA. Thankstoanincreasedintermediatelayer,i	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
C1102	文件：33.66 Kbytes Page：1 Pages	1C20SOLIDBCCSFOAMPEOASPE	GENERALGeneral Cable Technologies Corporation 通用電氣公司美國(guó)通用電氣公司	GENERAL
CDCLVC1102	文件：419.84 Kbytes Page：14 Pages	3.3Vand2.5VLVCMOSHigh-PerformanceClockBufferFamily	TITexas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司	TI
CDCLVC1102	文件：223.66 Kbytes Page：9 Pages	3.3Vand2.5VLVCMOSHigh-PerformanceClockBufferFamily	TITexas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司	TI
CDCLVC1102	文件：948.94 Kbytes Page：23 Pages	3.3Vand2.5VLVCMOSHigh-PerformanceClockBufferFamily	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
CDCLVC1102PW	文件：419.84 Kbytes Page：14 Pages	3.3Vand2.5VLVCMOSHigh-PerformanceClockBufferFamily	TITexas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司	TI

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深圳市弘為電子有限公司	AS1102-Z	AM	22+	NA	30000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
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更多AS1102-Z供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-18 11:30:00

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