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AS4C1M16E5-45JC

5V1M?16CMOSDRAM(EDO)

Functionaldescription TheAS4C1M16E5isahighperformance16-megabitCMOSDynamicRandomAccessMemory(DRAM)organizedas1,048,576words×16bits.ThedeviceisfabricatedusingadvancedCMOStechnologyandinnovativedesigntechniquesresultinginhighspeed,extremelylowpowerandwideop

ALSC

Alliance Semiconductor Corporation

AS4C1M16E5-45TC

5V1M?16CMOSDRAM(EDO)

Functionaldescription TheAS4C1M16E5isahighperformance16-megabitCMOSDynamicRandomAccessMemory(DRAM)organizedas1,048,576words×16bits.ThedeviceisfabricatedusingadvancedCMOStechnologyandinnovativedesigntechniquesresultinginhighspeed,extremelylowpowerandwideop

ALSC

Alliance Semiconductor Corporation

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更多AS4C1M16E5-45TI供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-13 14:02:00

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