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AS7C31026B-10TCN集成電路（IC）的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
AS7C31026B-10TCN |
| 參數(shù)屬性 | AS7C31026B-10TCN 封裝/外殼為44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）；包裝為托盤；類別為集成電路（IC）的存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP2 |
| 功能描述 | 3.3 V 64K X 16 CMOS SRAM |
| 文件大小 |
122.85 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Alliance Semiconductor Corporation |
| 企業(yè)簡稱 |
ALSC |
| 中文名稱 | Alliance Semiconductor Corporation官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-1 15:16:00 |
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Functional description
The AS7C31026B is a high-performance CMOS 1,048,576-bit Static Random Access Memory (SRAM) device organized as 65,536 words × 16 bits. It is designed for memory applications where fast data access, low power, and simple interfacing are desired.
Equal address access and cycle times (tAA, tRC, tWC) of 10/12/15/20 ns with output enable access times (tOE) of 5, 6, 7, 8 ns are ideal for high-performance applications.
Features
? Industrial and commercial versions
? Organization: 65,536 words × 16 bits
? Center power and ground pins for low noise
? High speed
- 10/12/15/20 ns address access time
- 5, 6, 7, 8 ns output enable access time
? Low power consumption: ACTIVE
- 288 mW / max @ 10 ns
? Low power consumption: STANDBY
- 18 mW / max CMOS I/O
? 6 T 0.18 u CMOS technology
? Easy memory expansion with CE, OE inputs
? TTL-compatible, three-state I/O
? JEDEC standard packaging
- 44-pin 400 mil SOJ
- 44-pin TSOP 2-400
? ESD protection ≥ 2000 volts
? Latch-up current ≥ 200 mA
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
AS7C31026B-10TCN
- 制造商：
Alliance Memory, Inc.
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
- 包裝：
托盤
- 存儲(chǔ)器類型：
易失
- 存儲(chǔ)器格式：
SRAM
- 技術(shù)：
SRAM - 異步
- 存儲(chǔ)容量：
1Mb（64K x 16）
- 存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
- 寫周期時(shí)間 - 字，頁：
10ns
- 電壓 - 供電：
3V ~ 3.6V
- 工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）
- 供應(yīng)商器件封裝：
44-TSOP2
- 描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP2
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Alliance Memory |
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