AT-42010分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
AT-42010 |
| 參數(shù)屬性 | AT-42010 封裝/外殼為4-SMD（100 密耳）；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 12V 8GHZ 100SMD |
| 功能描述 | Up to 6 GHz Medium Power Silicon Bipolar Transistor |
| 封裝外殼 | 4-SMD（100 密耳） |
| 文件大小 |
52.89 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
5 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Agilent(Hewlett-Packard) |
| 企業(yè)簡稱 |
HP【安捷倫科技】 |
| 中文名稱 | 安捷倫科技有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-23 11:42:00 |
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AT-42010規(guī)格書詳情
Description
Hewlett-Packard’s AT-42010 is a general purpose NPN bipolar transistor that offers excellent high frequency performance. The AT-42010 is housed in a hermetic, high reliability 100 mil ceramic package. The 4 micron emitter-to emitter pitch enables this transistor to be used in many different functions. The 20 emitter finger interdigitated geometry yields a medium sized transistor with impedances that are easy to match for low noise and medium power applications. This device is designed for use in low noise, wideband amplifier, mixer and oscillator applications in the VHF, UHF, and microwave frequencies. An optimum noise match near 50 ? up to 1 GHz , makes this device easy to use as a low noise amplifier.
The AT-42010 bipolar transistor is fabricated using Hewlett-Packard’s 10 GHz fT Self-Aligned-Transistor (SAT) process. The die is nitride passivated for surface protection. Excellent device uniformity, performance and reliability are produced by the use of ion implantation, self-alignment techniques, and gold metalization in the fabrication of this device.
Features
? High Output Power:
12.0 dBm Typical P1 dB at 2.0 GHz
20.5 dBm Typical P1 dBat 4.0 GHz
? High Gain at 1 dB Compression:
14.0 dB Typical G1 dBat 2.0 GHz
9.5 dB Typical G1 dBat 4.0 GHz
? Low Noise Figure:
1.9 dB Typical NFOat 2.0 GHz
? High Gain-Bandwidth Product: 8.0 GHz Typical fT
? Hermetic Gold-ceramic Microstrip Package
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
AT-42010
- 制造商：
Broadcom Limited
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
12V
- 頻率 - 躍遷：
8GHz
- 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：
1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz
- 增益：
10dB ~ 13.5dB
- 功率 - 最大值：
600mW
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 35mA，8V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
80mA
- 工作溫度：
200°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
4-SMD（100 密耳）
- 描述：
RF TRANS NPN 12V 8GHZ 100SMD
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AGILENT |
24+ |
35200 |
一級代理/放心采購 |
詢價 | |||
ATMEL/愛特梅爾 |
23+ |
BGA |
5000 |
原廠授權代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道。可提供大量庫存,詳 |
詢價 | ||
HP |
24+ |
100mil |
3600 |
詢價 | |||
AVAGO |
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AVAGO |
24+ |
SMD4 |
2 |
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