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AT-64023分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

AT-64023
廠商型號(hào)

AT-64023

參數(shù)屬性

AT-64023 封裝/外殼為4-SMD(230 密耳 BeO);包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 20V 230 MIL BE0

功能描述

Up to 4 GHz Linear Power Silicon Bipolar Transistor

封裝外殼

4-SMD(230 密耳 BeO)

文件大小

162.86 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 AVAGO TECHNOLOGIES LIMITED
企業(yè)簡(jiǎn)稱

AVAGO安華高

中文名稱

安華高官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-9 20:00:00

AT-64023規(guī)格書詳情

Description

The AT-64023 is a high performance NPN silicon bipolar transistor housed in a hermetic BeO flange package for good thermal characteristics. This device is designed for use in medium power, wide band amplifier and oscillator applications operating over VHF, UHF and microwave frequencies.

Excellent device uniformity, performance and reliability are produced by the use of ion-implantation, self-alignment techniques, and gold metallization in the fabrication of these devices. The use of ion-implanted ballast resistors ensures uniform current distribution through the multiple emitter fingers.

Features

? High Output Power:

27.5 dBm Typical P1 dB at 2.0 GHz

26.5 dBm Typical P1 dB at 4.0 GHz

? High Gain at 1 dB Compression:

12.5 dB Typical G1 dB at 2.0 GHz

9.5 dB Typical G1 dB at 4.0 GHz

? 35 Total Efficiency

? Emitter Ballast Resistors

? Hermetic, Metal/Beryllia Stripline Package

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    AT-64023

  • 制造商:

    Broadcom Limited

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    20V

  • 功率 - 最大值:

    3W

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 110mA,8V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    200mA

  • 工作溫度:

    200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    4-SMD(230 密耳 BeO)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    230 mil Be0

  • 描述:

    RF TRANS NPN 20V 230 MIL BE0

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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