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AT25XE161D集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
AT25XE161D |
| 參數(shù)屬性 | AT25XE161D 封裝/外殼為8-SOIC（0.209"，5.30mm 寬）；包裝為管件；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC |
| 功能描述 | 16-Mbit 1.65 V – 3.6 V Range SPI Serial Flash Memory with Multi I/O Support |
| 文件大小 |
2.25727 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
118 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
| 企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
| 中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2024-12-27 14:09:00 |
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Features
? Voltage Range: 1.65 V - 3.6 V
? 16 Mbit Flash Memory
? Flexible 256-byte page erase architecture
? Serial Peripheral Interface (SPI) compatible
? Supports SPI modes 0 and 3
? Supports single input/output operations (1-1-1)
? Supports dual output operation (1-1-2)
? Supports quad output operation (1-1-4)
? Supports quad I/O operation (1-4-4)
? Supports XiP operation (1-4-4, 0-4-4)
? 133 MHz maximum operating frequency
? Clock-to-output of 8 ns
? Flexible, optimized erase architecture for code +
data storage applications
? Uniform 256-Byte page erase
? Uniform 4-KByte block erase
? Uniform 32-KByte block erase
? Uniform 64-KByte block erase
? Full chip erase
? Flexible non-volatile block protection
? 1 x 128-byte factory-programmed unique identifier
? 3 x 128-byte, One Time Programmable (OTP)
security registers
? Flexible programming
? Byte/Page program (1 to 256 Bytes)
? Single command page buffer direct ReadModify-Write (page write with inclusive erase)
? Flexible 256-byte SRAM page buffer operation
? Sequential program mode capability
? Erase program suspend resume
? Software controlled Reset and Terminate
commands
? Hardware reset option (via /HOLD pin)
? JEDEC hardware reset
? Low battery detect circuit
? Active interrupt device status capability
? Non-volatile status register configuration option
? JEDEC standard manufacturer and device ID read
methodology
? Serial Flash Discoverable Parameters (SFDP)
version 1.6
? Low power dissipation:
? 30 μA standby current (typical)
? 8.2 μA Deep Power-Down (DPD) current
(typical)
? 7 nA Ultra Deep Power Down (UDPD) current
(typical)
? 8.3 mA active read current (1-1-1 — 104 MHz)
? 10.1 mA program current
? 10.7 mA erase current
? User-configurable and auto I/O pin drive levels
? Endurance: 100,000 program/erase cycles
? Data Retention: 20 years
? -40 oC to +85 oC operation
? Industry standard green (Pb/Halide-free/RoHS
Compliant) Package Options
? 8-lead SOIC (150-mil)
? 8-lead SOIC (208-mil)
? 8-pad Ultra-thin DFN (2 x 3 x 0.6 mm)
? 8-ball WLCSP (3 x 2 x 3 ball matrix)
? Die/Wafer — Contact Renesas Electronics for
more information
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
AT25XE161D-SHN-T
- 制造商：
Adesto Technologies
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
管件
- 存儲器類型：
非易失
- 存儲器格式：
閃存
- 技術(shù)：
閃存
- 存儲容量：
16Mb（2M x 8）
- 存儲器接口：
SPI - 四 I/O
- 寫周期時間 - 字，頁：
20μs，12ms
- 電壓 - 供電：
1.65V ~ 3.6V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
8-SOIC（0.209"，5.30mm 寬）
- 供應(yīng)商器件封裝：
8-SOIC
- 描述：
IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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