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AT28C010E-12TU-T

Package:32-TFSOP(0.724",18.40mm 寬);包裝:托盤 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC EEPROM 1MBIT PARALLEL 32TSOP

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

AT28C010E-12DM

MilitaryGrade1-Mbit(131,072x8)PagedParallelEEPROM

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

AT28C010E-12EM

MilitaryGrade1-Mbit(131,072x8)PagedParallelEEPROM

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

AT28C010E-12FM

MilitaryGrade1-Mbit(131,072x8)PagedParallelEEPROM

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

AT28C010E-12JC

1Megabit128Kx8PagedCMOSE2PROM

TheAT28C010isahigh-performanceelectrically-erasableandprogrammablereadonlymemory.Its1megabitofmemoryisorganizedas131,072wordsby8bits.ManufacturedwithAtmel’sadvancednonvolatileCMOStechnology,thedeviceoffersaccesstimesto120nswithpowerdissipationofjust220m

AtmelAtmel Corporation

愛特梅爾愛特梅爾公司

AT28C010E-12JI

1Megabit128Kx8PagedCMOSE2PROM

TheAT28C010isahigh-performanceelectrically-erasableandprogrammablereadonlymemory.Its1megabitofmemoryisorganizedas131,072wordsby8bits.ManufacturedwithAtmel’sadvancednonvolatileCMOStechnology,thedeviceoffersaccesstimesto120nswithpowerdissipationofjust220m

AtmelAtmel Corporation

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AT28C010E-12JI

1-megabit(128Kx8)PagedParallelEEPROM

AtmelAtmel Corporation

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AT28C010E-12JU

1-megabit(128Kx8)PagedParallelEEPROM

AtmelAtmel Corporation

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AT28C010E-12PC

1Megabit128Kx8PagedCMOSE2PROM

TheAT28C010isahigh-performanceelectrically-erasableandprogrammablereadonlymemory.Its1megabitofmemoryisorganizedas131,072wordsby8bits.ManufacturedwithAtmel’sadvancednonvolatileCMOStechnology,thedeviceoffersaccesstimesto120nswithpowerdissipationofjust220m

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AT28C010E-12PI

1-megabit(128Kx8)PagedParallelEEPROM

AtmelAtmel Corporation

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AT28C010E-12PI

1Megabit128Kx8PagedCMOSE2PROM

TheAT28C010isahigh-performanceelectrically-erasableandprogrammablereadonlymemory.Its1megabitofmemoryisorganizedas131,072wordsby8bits.ManufacturedwithAtmel’sadvancednonvolatileCMOStechnology,thedeviceoffersaccesstimesto120nswithpowerdissipationofjust220m

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AT28C010E-12PU

1-megabit(128Kx8)PagedParallelEEPROM

AtmelAtmel Corporation

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AT28C010E-12TC

1Megabit128Kx8PagedCMOSE2PROM

TheAT28C010isahigh-performanceelectrically-erasableandprogrammablereadonlymemory.Its1megabitofmemoryisorganizedas131,072wordsby8bits.ManufacturedwithAtmel’sadvancednonvolatileCMOStechnology,thedeviceoffersaccesstimesto120nswithpowerdissipationofjust220m

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AT28C010E-12TI

1-megabit(128Kx8)PagedParallelEEPROM

AtmelAtmel Corporation

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AT28C010E-12TI

1Megabit128Kx8PagedCMOSE2PROM

TheAT28C010isahigh-performanceelectrically-erasableandprogrammablereadonlymemory.Its1megabitofmemoryisorganizedas131,072wordsby8bits.ManufacturedwithAtmel’sadvancednonvolatileCMOStechnology,thedeviceoffersaccesstimesto120nswithpowerdissipationofjust220m

AtmelAtmel Corporation

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AT28C010E-12TU

1-megabit(128Kx8)PagedParallelEEPROM

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AT28C010E-12UM

MilitaryGrade1-Mbit(131,072x8)PagedParallelEEPROM

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

X28C010E-12

5Volt,ByteAlterableE2PROM

Xicor

Xicor Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    AT28C010E-12TU-T

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型:

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    EEPROM

  • 技術(shù):

    EEPROM

  • 存儲(chǔ)容量:

    1Mb(128K x 8)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁(yè):

    10ms

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TC)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    32-TFSOP(0.724",18.40mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    32-TSOP

  • 描述:

    IC EEPROM 1MBIT PARALLEL 32TSOP

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
MICROCHIP(美國(guó)微芯)
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TSOP-32-18
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Microchip Technology
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