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AT28LV010-25TI

1 Megabit 128K x 8 Low Voltage Paged CMOS E2PROM

Description TheAT28LV010isahigh-performance3-voltonlyElectricallyErasableandProgrammableRead-OnlyMemory.Its1megabitofmemoryisorganizedas131,072wordsby8bits.ManufacturedwithAtmel’sadvancednonvolatileCMOStechnology,thedeviceoffersaccesstimesto200nswithpowe

AtmelAtmel Corporation

愛特梅爾愛特梅爾公司

AT28LV010-25TI

1-Megabit (128K x 8) Low Voltage Paged Parallel EEPROMs

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AT28LV010-25

1Megabit128Kx8LowVoltagePagedCMOSE2PROM

Description TheAT28LV010isahigh-performance3-voltonlyElectricallyErasableandProgrammableRead-OnlyMemory.Its1megabitofmemoryisorganizedas131,072wordsby8bits.ManufacturedwithAtmel’sadvancednonvolatileCMOStechnology,thedeviceoffersaccesstimesto200nswithpowe

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AT28LV010-25JC

1Megabit128Kx8LowVoltagePagedCMOSE2PROM

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AT28LV010-25JI

1-Megabit(128Kx8)LowVoltagePagedParallelEEPROMs

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AT28LV010-25JI

1Megabit128Kx8LowVoltagePagedCMOSE2PROM

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AT28LV010-25PC

1Megabit128Kx8LowVoltagePagedCMOSE2PROM

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AT28LV010-25PI

1Megabit128Kx8LowVoltagePagedCMOSE2PROM

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1-Megabit(128Kx8)LowVoltagePagedParallelEEPROMs

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AT28LV010-25TC

1Megabit128Kx8LowVoltagePagedCMOSE2PROM

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    AT28LV010-25TI

  • 功能描述：

    電可擦除可編程只讀存儲器 1M 3V SDP- 250NS IND TEMP

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Atmel

  • 存儲容量：

    2 Kbit

  • 組織：

    256 B x 8

  • 數(shù)據(jù)保留：

    100 yr

  • 最大時鐘頻率：

    1000 KHz

  • 最大工作電流：

    6 uA

  • 工作電源電壓：

    1.7 V to 5.5 V

  • 最大工作溫度：

    + 85 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    SOIC-8

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多AT28LV010-25TI供應(yīng)商 更新時間2025-3-3 16:19:00

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