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TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques. Features VDS(V)=100V ID=16A(VGS=10V) RDS(ON)=115mW(VGS=10V) | UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司 | UMW | ||
MOSFET Description TheD-PAKisdesignedforsurfacemounting usingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques. Powerdissipationlevelsupto1.5watts arepossibleintypicalsurfacemountapplications. Features VDS(V)=100V ID=16A(VGS=10V) RDS(ON)=115mW(VGS=10V) | EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體 | EVVOSEMI | ||
UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p | IRF International Rectifier | IRF | ||
UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p | IRF International Rectifier | IRF | ||
N-Channel100V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司 | VBSEMI | ||
UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p | IRF International Rectifier | IRF | ||
PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds=0.115ohm,Id=16A) | IRF International Rectifier | IRF | ||
PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds=0.115ohm,Id=16A) | IRF International Rectifier | IRF | ||
UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. | KERSEMI | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性質(zhì)：
射頻/高頻放大 （HF）_低頻或音頻放大 （LF）
- 封裝形式：
- 極限工作電壓：
50V
- 最大電流允許值：
0.05A
- 最大工作頻率：
3MHZ
- 引腳數(shù)：
- 可代換的型號(hào)：
AT328A,AT2945A,AT2946A,
- 最大耗散功率：
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
NO
- vtest：
50
- htest：
3000000
- atest：
0.05
- wtest：
0
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IAT |
23+ |
SOT223 |
5680 |
全新原裝優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
IAT |
23+ |
SOT223 |
999999 |
原裝正品現(xiàn)貨量大可訂貨 |
詢價(jià) | ||
IAT |
2020+ |
SOT223 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
IAT |
23+ |
SOT223 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
AT |
22+ |
SOT-223 |
6000 |
十年配單,只做原裝 |
詢價(jià) | ||
IAT |
24+ |
SOT223 |
18560 |
假一賠十全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)供應(yīng)工廠客戶可放款 |
詢價(jià) | ||
IAT |
23+ |
SOT223 |
9762 |
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道?？商峁┐罅繋齑?詳 |
詢價(jià) | ||
IAT |
1539 |
SOT223 |
9762 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
IAT |
24+ |
NA/ |
1980 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
AT |
23+ |
SOT-223 |
8400 |
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |
