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ATC100B1R5BT500XT

N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

Features ?GreaterNegativeGate--SourceVoltageRangeforImprovedClassC Operation ?DesignedforDigitalPredistortionErrorCorrectionSystems ?OptimizedforDohertyApplications ?InTapeandReel.R3Suffix=250Units,32mmTapeWidth,13--inchReel.

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恩智浦恩智浦半導體公司

ATC100B1R5BT500XT

RF Power LDMOS Transistor

N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFET This50wattRFpowerLDMOStransistorisdesignedforcellularbasestation applicationscoveringthefrequencyrangeof1805to1880MHz. ?TypicalSingle--CarrierW--CDMAPerformance:VDD=28Volts, IDQ=1800mA,Pout=50WattsAvg.,InputSign

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

ATC100B1R5BT500XT

RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

ATC100B1R5BT500XT

RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

ATC100B1R5BT500XT

RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

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更多ATC100B1R5BT500XT供應商 更新時間2025-3-1 22:30:00

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