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ATF-36077-STR分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
ATF-36077-STR |
| 參數屬性 | ATF-36077-STR 封裝/外殼為4-SMD（77 封裝）；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產品描述：FET RF 3V 12GHZ 77-SMD |
| 功能描述 | 2-18 GHz Ultra Low Noise Pseudomorphic HEMT |
| 文件大小 |
47.07 Kbytes |
| 頁面數量 |
4 頁 |
| 生產廠商 | Agilent(Hewlett-Packard) |
| 企業(yè)簡稱 |
HP【安捷倫科技】 |
| 中文名稱 | 安捷倫科技有限公司官網 |
| 原廠標識 |  |
| 數據手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-3 9:32:00 |
ATF-36077-STR規(guī)格書詳情
Description
Hewlett-Packard’s ATF-36077 is an ultra-low-noise Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (PHEMT), packaged in a low parasitic, surface-mountable ceramic package. Properly matched, this transistor will provide typical 12 GHz noise figures of 0.5 dB, or typical 4 GHz noise figures of 0.3 dB. Addition ally, the ATF-36077 has very low noise resistance, reducing the sensitivity of noise performance
to variations in input impedance match, making the design of broadband low noise amplifiers much easier.
Features
? PHEMT Technology
? Ultra-Low Noise Figure:
0.5 dB Typical at 12 GHz
0.3 dB Typical at 4 GHz
? High Associated Gain:
12 dB Typical at 12 GHz
17 dB Typical at 4 GHz
? Low Parasitic Ceramic Microstrip Package
? Tape-and-Reel Packing Option Available
Applications
? 12 GHz DBS LNB (Low Noise Block)
? 4 GHz TVRO LNB (Low Noise Block)
? Ultra-Sensitive Low Noise Amplifiers
產品屬性
- 產品編號：
ATF-36077-STR
- 制造商：
Broadcom Limited
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
pHEMT FET
- 頻率：
12GHz
- 增益：
12dB
- 額定電流（安培）：
45mA
- 噪聲系數：
0.5dB
- 功率 - 輸出：
5dBm
- 封裝/外殼：
4-SMD（77 封裝）
- 供應商器件封裝：
77
- 描述：
FET RF 3V 12GHZ 77-SMD
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Avago(安華高) |
23+ |
NA/ |
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AVAGO/安華高 |
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