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ATF-521P8分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

ATF-521P8
廠商型號(hào)

ATF-521P8

參數(shù)屬性

ATF-521P8 封裝/外殼為8-WFDFN 裸露焊盤;包裝為帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC

功能描述

High Linearity Enhancement Mode[1] Pseudomorphic HEMT

文件大小

336.64 Kbytes

頁面數(shù)量

23

生產(chǎn)廠商 Broadcom Corporation.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

BOARDCOM博通公司

中文名稱

博通半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-1-1 20:00:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    ATF-521P8-TR1

  • 制造商:

    Broadcom Limited

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

  • 晶體管類型:

    pHEMT FET

  • 頻率:

    2GHz

  • 增益:

    17dB

  • 額定電流(安培):

    500mA

  • 噪聲系數(shù):

    1.5dB

  • 功率 - 輸出:

    26.5dBm

  • 封裝/外殼:

    8-WFDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-LPCC(2x2)

  • 描述:

    FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC

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