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ATF-541M4-TR1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
ATF-541M4-TR1 |
| 參數(shù)屬性 | ATF-541M4-TR1 封裝/外殼為0505（1412 公制）；包裝為托盤(pán)；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：IC PHEMT 2GHZ 3V 60MA MINIPAK |
| 功能描述 | Low Noise Enhancement Mode Pseudomorphic HEMT in a Miniature Leadless Package |
| 封裝外殼 | 0505（1412 公制） |
| 文件大小 |
169.1 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
16 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Agilent(Hewlett-Packard) |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
HP【安捷倫科技】 |
| 中文名稱 | 安捷倫科技有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-20 22:16:00 |
ATF-541M4-TR1規(guī)格書(shū)詳情
Description
Agilent Technologies’s ATF-541M4 is a high linearity, low noise, single supply E-PHEMT housed in a miniature leadless package.
The ATF-541M4’s small size and low profile makes it ideal for the design of hybrid module and other space-constraint devices.
The device can be used in applications such as TMA and front end LNA for Cellular/PCS and WCDMA base stations, LNA and driver amplifiers for Wireless Data and 802.11b WLAN.
In addition, the device’s superior RF performance at higher frequency makes it an ideal candidate for high frequency applications such as WLL, 802.11a WLAN, 5–6 GHz UNII and HIPERLAN applications.
Features
? High linearity performance
? Single Supply Enhancement Mode Technology[1]
? Very low noise figure
? Excellent uniformity in product specifications
? 800 micron gate width
? Miniature leadless package
1.4 mm x 1.2 mm x 0.7 mm
? Tape-and-Reel packaging option available
Specifications
2 GHz; 3V, 60 mA (Typ.)
? 35.8 dBm output 3rd order intercept
? 21.4 dBm output power at 1 dB gain compression
? 0.5 dB noise figure
? 17.5 dB associated gain
Applications
? Low Noise Amplifier and Driver Amplifier for Cellular/PCS and WCDMA Base Stations
? LNA and Driver Amplifier for WLAN, WLL/RLL and MMDS applications
? General purpose discrete E-PHEMT for ultra low noise applications in the 450 MHz to 10 GHz frequency range
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
ATF-541M4-TR1
- 制造商：
Broadcom Limited
- 類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
托盤(pán)
- 晶體管類(lèi)型：
pHEMT FET
- 頻率：
2GHz
- 增益：
17.5dB
- 額定電流（安培）：
120mA
- 噪聲系數(shù)：
0.5dB
- 功率 - 輸出：
21.4dBm
- 封裝/外殼：
0505（1412 公制）
- 供應(yīng)商器件封裝：
MiniPak 1412
- 描述：
IC PHEMT 2GHZ 3V 60MA MINIPAK
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AVAGO |
2016+ |
QFN |
6000 |
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