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ATF22V10B-10SC	文件：886.31 Kbytes Page：14 Pages	High-PerformanceEEPLD Description TheAtmel?ATF22V10Bisahigh-performanceCMOS(electricallyerasable)programmablelogicdevice(PLD)whichutilizestheAtmelprovenelectricallyerasableFlashmemorytechnology.Speedsdownto7.5nsandpowerdissipationaslowas10mAareoffered.Allspeedrangesarespecified	AtmelAtmel Corporation 愛特梅爾愛特梅爾公司	Atmel
ATF22V10B-10SC	文件：537.18 Kbytes Page：15 Pages	HighperformanceEEPLD	AtmelAtmel Corporation 愛特梅爾愛特梅爾公司	Atmel
ATF22V10B-10SI	文件：537.18 Kbytes Page：15 Pages	HighperformanceEEPLD	AtmelAtmel Corporation 愛特梅爾愛特梅爾公司	Atmel
ATF22V10B-10SI	文件：886.31 Kbytes Page：14 Pages	High-PerformanceEEPLD Description TheAtmel?ATF22V10Bisahigh-performanceCMOS(electricallyerasable)programmablelogicdevice(PLD)whichutilizestheAtmelprovenelectricallyerasableFlashmemorytechnology.Speedsdownto7.5nsandpowerdissipationaslowas10mAareoffered.Allspeedrangesarespecified	AtmelAtmel Corporation 愛特梅爾愛特梅爾公司	Atmel
ATF22V10B-10XC	文件：886.31 Kbytes Page：14 Pages	High-PerformanceEEPLD Description TheAtmel?ATF22V10Bisahigh-performanceCMOS(electricallyerasable)programmablelogicdevice(PLD)whichutilizestheAtmelprovenelectricallyerasableFlashmemorytechnology.Speedsdownto7.5nsandpowerdissipationaslowas10mAareoffered.Allspeedrangesarespecified	AtmelAtmel Corporation 愛特梅爾愛特梅爾公司	Atmel
ATF22V10B-10XC	文件：537.18 Kbytes Page：15 Pages	HighperformanceEEPLD	AtmelAtmel Corporation 愛特梅爾愛特梅爾公司	Atmel
ATF22V10B-10XI	文件：537.18 Kbytes Page：15 Pages	HighperformanceEEPLD	AtmelAtmel Corporation 愛特梅爾愛特梅爾公司	Atmel
ATF22V10B-10XI	文件：886.31 Kbytes Page：14 Pages	High-PerformanceEEPLD Description TheAtmel?ATF22V10Bisahigh-performanceCMOS(electricallyerasable)programmablelogicdevice(PLD)whichutilizestheAtmelprovenelectricallyerasableFlashmemorytechnology.Speedsdownto7.5nsandpowerdissipationaslowas10mAareoffered.Allspeedrangesarespecified	AtmelAtmel Corporation 愛特梅爾愛特梅爾公司	Atmel
GAL22V10B-10LJ	文件：386.45 Kbytes Page：29 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic Description TheGAL22V10,at4nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestperformanceavailableofany22V10deviceonthemarket.CMOScircuitryallowstheGAL22V10toconsumemuchles	LatticeLattice Semiconductor 萊迪思萊迪思半導體公司	Lattice
GAL22V10B-10LP	文件：386.45 Kbytes Page：29 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic Description TheGAL22V10,at4nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestperformanceavailableofany22V10deviceonthemarket.CMOScircuitryallowstheGAL22V10toconsumemuchles	LatticeLattice Semiconductor 萊迪思萊迪思半導體公司	Lattice

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