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ATF22V10B-25PC	文件：886.31 Kbytes Page：14 Pages	High- Performance EE PLD Description TheAtmel?ATF22V10Bisahigh-performanceCMOS(electricallyerasable)programmablelogicdevice(PLD)whichutilizestheAtmelprovenelectricallyerasableFlashmemorytechnology.Speedsdownto7.5nsandpowerdissipationaslowas10mAareoffered.Allspeedrangesarespecified	AtmelAtmel Corporation 愛特梅爾愛特梅爾公司	Atmel
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ATF22V10B-25PI	文件：886.31 Kbytes Page：14 Pages	High-PerformanceEEPLD Description TheAtmel?ATF22V10Bisahigh-performanceCMOS(electricallyerasable)programmablelogicdevice(PLD)whichutilizestheAtmelprovenelectricallyerasableFlashmemorytechnology.Speedsdownto7.5nsandpowerdissipationaslowas10mAareoffered.Allspeedrangesarespecified	AtmelAtmel Corporation 愛特梅爾愛特梅爾公司	Atmel
ATF22V10B-25SC	文件：886.31 Kbytes Page：14 Pages	High-PerformanceEEPLD Description TheAtmel?ATF22V10Bisahigh-performanceCMOS(electricallyerasable)programmablelogicdevice(PLD)whichutilizestheAtmelprovenelectricallyerasableFlashmemorytechnology.Speedsdownto7.5nsandpowerdissipationaslowas10mAareoffered.Allspeedrangesarespecified	AtmelAtmel Corporation 愛特梅爾愛特梅爾公司	Atmel
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ATF22V10B-25XC	文件：886.31 Kbytes Page：14 Pages	High-PerformanceEEPLD Description TheAtmel?ATF22V10Bisahigh-performanceCMOS(electricallyerasable)programmablelogicdevice(PLD)whichutilizestheAtmelprovenelectricallyerasableFlashmemorytechnology.Speedsdownto7.5nsandpowerdissipationaslowas10mAareoffered.Allspeedrangesarespecified	AtmelAtmel Corporation 愛特梅爾愛特梅爾公司	Atmel
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ATF22V10B-25XI	文件：537.18 Kbytes Page：15 Pages	HighperformanceEEPLD	AtmelAtmel Corporation 愛特梅爾愛特梅爾公司	Atmel
ATF22V10B-25XI	文件：886.31 Kbytes Page：14 Pages	High-PerformanceEEPLD Description TheAtmel?ATF22V10Bisahigh-performanceCMOS(electricallyerasable)programmablelogicdevice(PLD)whichutilizestheAtmelprovenelectricallyerasableFlashmemorytechnology.Speedsdownto7.5nsandpowerdissipationaslowas10mAareoffered.Allspeedrangesarespecified	AtmelAtmel Corporation 愛特梅爾愛特梅爾公司	Atmel
GAL22V10B-25LJ	文件：386.45 Kbytes Page：29 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic Description TheGAL22V10,at4nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestperformanceavailableofany22V10deviceonthemarket.CMOScircuitryallowstheGAL22V10toconsumemuchles	LatticeLattice Semiconductor 萊迪思萊迪思半導(dǎo)體公司	Lattice
GAL22V10B-25LJI	文件：386.45 Kbytes Page：29 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic Description TheGAL22V10,at4nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestperformanceavailableofany22V10deviceonthemarket.CMOScircuitryallowstheGAL22V10toconsumemuchles	LatticeLattice Semiconductor 萊迪思萊迪思半導(dǎo)體公司	Lattice
GAL22V10B-25LP	文件：386.45 Kbytes Page：29 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic Description TheGAL22V10,at4nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestperformanceavailableofany22V10deviceonthemarket.CMOScircuitryallowstheGAL22V10toconsumemuchles	LatticeLattice Semiconductor 萊迪思萊迪思半導(dǎo)體公司	Lattice
GAL22V10B-25LPI	文件：386.45 Kbytes Page：29 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic Description TheGAL22V10,at4nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestperformanceavailableofany22V10deviceonthemarket.CMOScircuitryallowstheGAL22V10toconsumemuchles	LatticeLattice Semiconductor 萊迪思萊迪思半導(dǎo)體公司	Lattice
GAL22V10B-25QJ	文件：386.45 Kbytes Page：29 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic Description TheGAL22V10,at4nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestperformanceavailableofany22V10deviceonthemarket.CMOScircuitryallowstheGAL22V10toconsumemuchles	LatticeLattice Semiconductor 萊迪思萊迪思半導(dǎo)體公司	Lattice
GAL22V10B-25QP	文件：386.45 Kbytes Page：29 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic Description TheGAL22V10,at4nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestperformanceavailableofany22V10deviceonthemarket.CMOScircuitryallowstheGAL22V10toconsumemuchles	LatticeLattice Semiconductor 萊迪思萊迪思半導(dǎo)體公司	Lattice

詳細(xì)參數(shù)

型號：
ATF22V10B-25PC
功能描述：
SPLD - 簡單可編程邏輯器件 500 Gate
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
邏輯系列：
TICPAL22V10Z
大電池?cái)?shù)量：
10
最大工作頻率：
66 MHz
延遲時間：
25 ns
工作電源電壓：
4.75 V to 5.25 V
電源電流：
100 uA
最大工作溫度：
+ 75 C
最小工作溫度：
0 C
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
DIP-24

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