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BL-C4435	文件：136.56 Kbytes Page：2 Pages	LEDGaAsP/GaPHi-EffRedLowpowerconsumption.	BRIGHT 寧波步來(lái)特電器有限公司	BRIGHT
BL-C4435	文件：508.36 Kbytes Page：2 Pages	STANDARDLEDLAMPS	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
BL-C4435	文件：400.53 Kbytes Page：5 Pages	STANDARDLEDLAMPS(CYLINDRICALTYPES)	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
BLM4435	文件：283.3 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD. 上海貝嶺上海貝嶺股份有限公司	Belling
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CEM4435A	文件：106.95 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-30V,-8A,RDS(ON)=20m?@VGS=-10V. RDS(ON)=33m?@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■SurfacemountPackage. ■Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEM4435A	文件：1.29267 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
CEM4435A	文件：1.00479 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested APPLICATIONS ?LoadSwitch ?BatterySwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
CEM4435A	文件：527.4 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-8A,RDS(ON)=20mW@VGS=-10V. RDS(ON)=33mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM4435A	文件：1.85515 Mbytes Page：5 Pages	P-channelEnhancementModePowerMOSFET Features ?VDS=-30V,ID=-9A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
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CET4435A	文件：1.00549 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel35V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?100UISTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?LoadSwitches,AdaptorSwitch -NotebookPCs	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
CET4435A	文件：893.3 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-8.8A,RDS(ON)=24mW@VGS=-10V. RDS(ON)=35mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-223package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CHM4435AJPT	文件：313.36 Kbytes Page：3 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE30VoltsCURRENT8Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SO-8) HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. Highsaturationcurrentcapability. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. *Otherswitchingapplications.	CHENMKOchenmko 力勤股份有限公司	CHENMKO
CHM4435AZPT	文件：199.56 Kbytes Page：2 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE30VoltsCURRENT8.8Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SC-73/SOT-223) HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. Otherswitchingapplications.	CHENMKOchenmko 力勤股份有限公司	CHENMKO
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CJD4435	文件：1.14347 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司	JIANGSU
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更多ATM4435供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-8 17:10:00

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