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CEM4808	文件：383.62 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,9A,RDS(ON)=15mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=20mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■SurfacemountPackage.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CHM4808JPT	文件：289.17 Kbytes Page：3 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE30VoltsCURRENT9Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SO-8) HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. Highsaturationcurrentcapability. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. *Otherswitchingapplications.	CHENMKOchenmko 力勤股份有限公司	CHENMKO

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