ATP201分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
ATP201 |
參數(shù)屬性 | ATP201 封裝/外殼為ATPAK(2 引線 + 接片);包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個;產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 30V 35A ATPAK |
功能描述 | N-Channel Power MOSFET |
封裝外殼 | ATPAK(2 引線 + 接片) |
文件大小 |
344.36 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
7 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-3-13 22:36:00 |
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ATP201規(guī)格書詳情
ATP201屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的ATP201晶體管 - FET,MOSFET - 單個分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。
N-Channel Power MOSFET
30V, 35A, 17mΩ, Single ATPAK
Features
? Low ON-resistance
? Slim package
? Protection diode in
? 4.5V drive
? Halogen free compliance
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
ATP201-V-TL-H
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個
- 包裝:
管件
- 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):
35A(Tj)
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 供應(yīng)商器件封裝:
ATPAK
- 封裝/外殼:
ATPAK(2 引線 + 接片)
- 描述:
MOSFET N-CH 30V 35A ATPAK
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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