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AUIRGSL4062D1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
AUIRGSL4062D1 |
參數(shù)屬性 | AUIRGSL4062D1 封裝/外殼為TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 59A 246W TO-262 |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
封裝外殼 | TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA |
文件大小 |
647.2 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
14 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-2-2 16:12:00 |
AUIRGSL4062D1規(guī)格書詳情
AUIRGSL4062D1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的AUIRGSL4062D1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
AUIRGSL4062D1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
溝道
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
1.77V @ 15V,24A
- 開關(guān)能量:
532μJ(開),311μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標準
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
19ns/90ns
- 測試條件:
400V,24A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-262
- 描述:
IGBT 600V 59A 246W TO-262
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2405+ |
TO-263 |
4475 |
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Infineon Technologies |
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原裝 |
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INFINEON/英飛凌 |
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Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務(wù) |
詢價 |